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[发明专利]一种金属纳米晶存储器的制备方法-CN201110429391.5无效
发明人：刘明;许中广;霍宗亮;朱晨昕;谢常青;张满红 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属纳米晶存储器的制备方法。该方法包括：在衬底上沉积隧穿介质层；将金属纳米晶胶体喷射沉积在隧穿介质层上，并使金属纳米晶胶体中的溶剂挥发，剩余金属纳米晶在隧穿介质层表面形成金属纳米晶存储层；在金属纳米晶存储层上沉积电荷阻挡层；形成纳米晶存储器的栅电极、源端和漏端，从而制备金属纳米晶存储器。本发明可以降低制备金属纳米晶存储器的工艺复杂度和成本，提高金属纳米晶层的质量。
一种金属纳米存储器制备方法

[发明专利]一种无线充电模组-CN202110835690.2有效
发明人：唐子舜;刘立冬;付亚奇;石枫 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及充电设备技术领域，公开一种无线充电模组，包括导磁结构，所述导磁结构包括：纳米晶单元层，所述纳米晶单元层包括多个纳米晶单元，多个所述纳米晶单元间隔设置，相邻两个所述纳米晶单元之间充有电木板；所述纳米晶单元包括多个纳米晶层和多个绝缘层，多个所述纳米晶层和多个所述绝缘层交替叠设，以使相邻两个所述纳米晶层之间绝缘设置；铁氧体层，所述铁氧体层连接于所述纳米晶单元层的侧面。
一种无线充电模组

[实用新型]串联型薄膜太阳能电池组件-CN201220384053.4有效
发明人：王庆东 -专利权人：深圳蔚光能电子科技有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种串联型薄膜太阳能电池组件，包括基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方。其中，穿隧缓冲层与P型纳米晶硅层接合。本实用新型的太阳能电池组件有效降低了串联式薄膜太阳能电池内部的漏电效应，提高光电转换效率。
串联薄膜太阳能电池组件

[发明专利]一种新型微晶-晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法-CN202111490927.4在审
发明人：白焱辉;杨立友;王继磊;黄金;鲍少娟;师海峰;杨文亮;冀杨洲;高英杰;潘国鑫;贾慧君 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种新型微晶‑晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法，包括硅衬底，所述硅衬底的一面依次叠加设置正面本征非晶硅层、正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、正面TCO层，所述硅衬底的另一面依次叠加设置背面本征非晶硅层、背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、背面TCO层，在所述正面本征非晶硅层和所述正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置正面本征微晶硅/纳米晶硅层，和/或在所述背面本征非晶硅层和所述背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置背面本征微晶硅/纳米晶硅层。
一种新型晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法

[实用新型]一种非晶或纳米晶带材叠层的制造系统-CN201721309839.9有效
发明人：徐勇攀;赵安平;刘开煌;李家洪 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种非晶或纳米晶带材叠层的制造系统，包括单层非晶或纳米晶带材叠层的制造系统以及多层非晶或纳米晶带材叠层的制造系统；本实用新型提供的非晶或纳米晶带材叠层的制造系统，利用卷料覆膜，使得非晶或纳米晶带材叠层的生产工艺连续，便于自动化；此外，通过多层覆膜一次成型得到多层非晶或纳米晶带材叠层，极大地提高了生产效率，降低了生产成本。
纳米晶带材叠层非晶制造系统本实用新型多层多层覆膜生产效率一次成型生产工艺单层覆膜卷料生产成本自动化

[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法、纳米晶墨水-CN201811248677.1有效
发明人：甄常刮;高远;王兵 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种电致发光器件及其制备方法、纳米晶墨水。该电子发光器件包括电致发光元件以及设于电致发光元件外侧的至少一纳米晶封装层，纳米晶封装层包括金属氧化物纳米晶，金属氧化物纳米晶的表面具有配体，配体之间具有氢键作用，电致发光元件包括电极，电致发光器件还包括设置在电极与纳米晶封装层之间的至少一保护层金属氧化物纳米晶提高纳米晶封装层的可弯折性以及减少膜层缺陷的产生。金属氧化物纳米晶可用涂布方式成膜因此可以避免因原材料及腔体洁净度导致膜层缺陷产生，设备成本低可用于大尺寸。
一种电致发光器件及其制备方法纳米墨水

[发明专利]一种非晶或纳米晶带材叠层的制备方法及制造系统-CN201710934540.0在审
发明人：徐勇攀;赵安平;刘开煌;李家洪 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶或纳米晶带材叠层的制备方法及制造系统，包括单层非晶或纳米晶带材叠层的制备方法及制造系统以及多层非晶或纳米晶带材叠层的制备方法及制造系统；本发明提供的非晶或纳米晶带材叠层的制备方法及制造系统，利用卷料覆膜，使得非晶或纳米晶带材叠层的生产工艺连续，便于自动化；此外，通过多层覆膜一次成型得到多层非晶或纳米晶带材叠层，极大地提高了生产效率，降低了生产成本。
一种纳米晶带材叠层制备方法制造系统

[发明专利]一种三维网状纳米晶/非晶的高强高韧纳米多层膜及其制备方法和应用-CN202010679231.5有效
发明人：文懋;齐金磊;王龙鹏;郝俊;张侃;郑伟涛 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及航空材料技术领域，具体涉及一种三维网状纳米晶/非晶的高强高韧纳米多层膜及其制备方法和应用。本发明提供的三维网状纳米晶/非晶的高强高韧纳米多层膜，包括交替叠加设置的合金金属氮化物层和纯金属氮化物层；所述合金金属氮化物层和纯金属氮化物层均具有纳米晶和非晶共存结构；以依次叠层设置的一层合金金属氮化物层和一层纯金属氮化物层为一个单元在本发明中，合金金属氮化物层和纯金属氮化物层均具有纳米晶和非晶共存结构，在沉积多个单元的过程中，使得在一个或多个单元内同时存在多个调制层共格的纳米晶相区域和非晶相区域，由纳米晶和非晶的界面形成空间的三维网状结构，提高了膜层的硬度和韧性。
一种三维网状纳米高强多层及其制备方法应用

[实用新型]一种纳米晶无线充超薄胶带-CN201922039834.4有效
发明人：陈元青;陈子勋 -专利权人：深圳市广旭科技应用新材料有限公司
申请日： 2019-11-23 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H02J50/70 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米晶无线充超薄胶带，涉及无线充电技术领域。本实用新型包括纳米晶单体片和绝缘胶带层，纳米晶单体片拼接一层形成纳米晶带层，纳米晶带层一面压附在绝缘胶带层表面，纳米晶带层的拼缝内涂设有粘接剂形成粘接网层，粘接网层厚度小于拼缝厚度，纳米晶带层另一面设有氧化层，并且氧化层填充至拼缝与粘接网层对接。本实用新型通过在拼缝中涂粘接剂形成粘接网，并且拼缝一半由氧化层填充，在保证了无线充胶带具有足够的粘接强度和较薄厚度的同时，使纳米晶单体片通过氧化层将磁导率控制在较小的范围，提高了无线充电的使用效果。
一种纳米无线超薄胶带

[实用新型]一种高耐蚀耐磨纳米晶复合涂层-CN201920915232.8有效
发明人：鲁明辉;王思忠;高方健 -专利权人：扬州市普锐泰新材料有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本实用新型公开的属于模具涂层技术领域，具体为一种高耐蚀耐磨纳米晶复合涂层，包括衬底，所述衬底的顶部电镀有纳米晶复合涂层，所述纳米晶复合涂层的顶部电镀有钛层，所述钛层的顶部电镀有保护膜，所述纳米晶复合涂层包括交替电镀成型的纳米晶TiCrN层和非晶AlSiN层，且纳米晶TiCrN层嵌套在非晶AlSiN层的顶部，所述纳米晶复合涂层的厚度为10nm，本实用新型通过设置有含有Si的纳米晶符合涂层，有效的提高了抗高温效果，通过Cr的掺加
一种高耐蚀耐磨纳米复合涂层

[发明专利]一种纳米微晶板-CN201711384790.8在审
发明人：朱新明 -专利权人：江西金凤凰纳米微晶有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C03C11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米微晶板，由下而上依次包括泡沫纳米微晶玻璃层、有色纳米微晶玻璃层、TiO2‑SiO2抗菌涂层，所述有色纳米微晶玻璃层由上层有色纳米微晶块和下层有色纳米微晶粉料熔制而成、层内具有纹理。其制备方法包括a、碎微晶板研磨成粉料；b、纳米微晶玻璃粉料、发泡剂、稳泡剂混合制成泡沫微晶玻璃混合料；c、耐火模具内依次布泡沫微晶玻璃混合料、有色纳米微晶粉料、有色纳米微晶块；d、烧制熔融、发泡；e、涂覆本发明的纳米微晶板，具有良好的保温性，比重小、机械强度高，外形美观，具有良好的抗菌效果，耐水性比普通微晶板材提高50~60%，可广泛应用于室内装饰。
一种纳米微晶板

[发明专利]制备太阳电池的方法和太阳电池-CN202310564122.2在审
发明人：赵晖;张丽平 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了制备太阳电池的方法和太阳电池，所述方法包括：提供单晶硅片；在单晶硅片相对的两侧分别形成第一非晶钝化层、第二非晶钝化层；在第一非晶钝化层远离所述单晶硅片的一侧形成N型掺杂层；在第二非晶钝化层远离单晶硅片的一侧形成P型纳米晶种子层，形成P型纳米晶种子层的反应气体包括硅烷、氢气、掺杂剂，掺杂剂包括乙硼烷、三甲基硼烷、二氧化碳的至少一种；在P型纳米晶种子层远离第二非晶钝化层的一侧形成P型纳米晶掺杂层。由此，由该方法所制备的P型纳米晶种子层可以诱导P型纳米晶掺杂层晶化，大幅度提升了电池的填充因子，有效的提高了电池的转换效率。
制备太阳电池方法

[发明专利]一种金属纳米晶存储器-CN201110429608.2无效
发明人：刘明;许中广;霍宗亮;朱晨昕;谢常青;张满红 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属纳米晶存储器。该金属纳米晶存储器包括：衬底；形成于衬底沟道区两侧的源端和漏端；及依次形成于衬底沟道区上方的隧穿介质层、金属纳米晶存储层、电荷阻挡层和栅电极；其中，该金属纳米晶存储层是由金属纳米晶胶体经喷涂方法沉积于隧穿介质层并蒸发金属纳米晶胶体内的溶剂而形成的本发明金属纳米晶存储器，是基于激光烧蚀、喷枪喷涂的方法来实现，与常规的制备纳米晶浮栅非挥发性存储器比较，具有成本低廉、纳米颗粒直径可控，均匀性好，无污染、器件性能优良等诸多优点。
一种金属纳米存储器

[实用新型]一种无线充电用电磁屏蔽片-CN201521097942.2有效
发明人：李家洪;周坤荣;杨恺;苏临萍;吴长和;杨兆国;姚文峰 -专利权人：上海光线新材料科技有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：包括：叠层的非晶、纳米晶层；包围在所述叠层的非晶、纳米晶层周围的环状高导磁合金片；以及贴合于所述叠层的非晶、纳米晶层和环状高导磁合金片的铁氧体磁片、石墨片以及线圈。所述叠层的非晶、纳米晶层的层数为至少1层，优选3～10层；所述高导磁合金片的层数为至少1层，优选2～10层。本实用新型的无线充电用电磁屏蔽片，可以进一步提高充电效率，降低损耗。
一种无线充电用电屏蔽

[发明专利]一种大厚度纳米晶‑超细晶‑粗晶表面梯度层的制备方法-CN201710149764.0在审
发明人：王艳飞;黄崇湘 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C22F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大厚度纳米晶‑超细晶‑粗晶表面梯度层的制备方法，包括以下几个步骤在厚度大于1mm的金属板材上，先用多重速冷搅拌摩擦加工方法获得毫米级厚度的超细晶层和超细晶‑粗晶梯度层；再用高能球束均匀撞击超细晶层得到大厚度纳米晶‑超细晶‑粗晶表面梯度层。本发明所述的一种大厚度纳米晶‑超细晶‑粗晶表面梯度层的制备方法，所制备表面梯度层的结构特征是由表及里依次呈纳米晶‑变形态超细晶‑再结晶态超细晶‑变形态粗晶‑原始态粗晶多重梯度连续过渡，整个梯度层的厚度达到毫米量级且表面及内部都没有裂纹
一种厚度纳米超细晶表面梯度制备方法

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